La memoria MRAM es una de las tecnologías mas prometedoras de la actualidad. Ademas de ofrecer una velocidad mayor que las RAM convencionales, es persistente; es decir, los datos se conservan aunque cortemos la corriente. El único inconveniente es que su capacidad de almacenamiento es muy pequeña. Ahora Toshiba ha desarrollado una tecnología que permitirá crear memorias MRAM con la misma capacidad que las RAM convencionales.

Las memorias MRAM almacenan la información en pequeñas celdas de material magnético; cada celda almacena un bit y las operaciones de grabación y borrado se hacen mediante campos magnéticos; el procedimiento es similar al utilizado en las cintas o los discos duros.

El hecho de que la grabación sea magnética es precisamente la causa de los problemas; el campo magnético se extiende por una superficie relativamente amplia, de manera que debe haber una separación entre las celdas; si no se hace así, la escritura en una de ellas alteraría también el contenido de las que se encuentren a su alrededor. Esta limitación supone reducir la cantidad de celdas que puede haber por unidad de superficie, con lo cual la capacidad de estas memorias es muy escasa. De hecho, la memoria MRAM de mayor capacidad que hay en estos momentos en el mercado es de 4Mb; la fabrica la empresa FreeScale, que es la única compañía que comercializa memorias de este tipo.

Resolver el problema de la escasa capacidad de estas memorias sería una verdadera revolución; de entrada, supondría que la memoria principal de los ordenadores dejaría de ser volátil; podriamos apagar nuestro PC y, al volver a encenderlo, continuaría exactamente en el punto donde lo dejamos en el momento del apagado. Ademas, las memorias MRAM pueden ser un duro competidor de las Flash, ya que son mucho mas rápidas que estas últimas; la ventaja de las memorias Flash es que son capaces de almacenar varios bits de información por celda (las MRAM, al igual que las RAM convencionales, solo pueden grabar un bit por celda), lo que significa que pueden conseguir unas capacidades mucho mayores con un coste menor.
Ayer, 6 de noviembre, Toshiba anunció una nueva técnica de fabricación de memorias MRAM que soluciona el problema de la separación, lo que quiere decir que las celdas de este tipo de memorias podrán estar tan juntas como los componentes de cualquier otro tipo de chip, lo que quiere decir que las memorias MRAM podrán tener la misma capacidad que las RAM convencionales.

¿Como ha logrado Toshiba solucionar el problema de los campos magnéticos?

En la imagen superior podemos observar el esquema de una celda de las nuevas memorias MRAM desarrolladas por Toshiba; como podemos observar, la celda está compuesta por dos piezas magnéticas separadas por un pequeño aislante; la corriente eléctrica circula entre ambas celdas, de manera que el campo magnético queda confinado a la zona de unión (la capa aislante), con lo que no afecta a las celdas adyacentes.